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[求助]关于漏电的问题

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楼主
发表于 2005-4-19 10:53:00 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式
我检测了几种国外的spd(obo、西门子等)发现他们的漏电(0.75V1mA)都在10μA左右,国产的spd一般都小于2μA,请问大侠,这种差别是配方的不同造成的,还是热处理工艺造成的。
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发表于 2005-4-22 14:37:00 | 只看该作者
哦。请恕我早上忙的有点晕,说话的态度不好。抱歉。真诚的道歉。

从熵焓定律上讲自然是这么回事情了。但是你不要忘记一个根本的东西——我们做热处理的目的。目的是什么呢?我们不能说我们为了让它相变的快一点,省点电就提高温度,那样的话,所有的电性能都坏了,不能用了,那我们还热处理什么啊。对不对?呵呵。有点象开玩笑了。

所以,本身我们进行热处理的时候,在热处理温度的选择上就是有一个区间限制的。在规定的配方体系内,对于一个尺寸的MOV瓷片,我们能选择的温度窄的可以。怎样能让他充分而平缓的相变呢?唯一的方法是控制时间。

最后,高温度热处理好不好呢?不见得好。为什么呢?1、降温时存在逆反映。2、温阶函数太陡,晶粒收缩过大过快,缺陷太多,太难控制了。3、会把硅的无定型玻璃相给影响了。4、存在C0、Mn、Ni等等趋向晶粒的渗透和偏移。不好。大大的不好!所以,94年后,全球MOV制造行业都趋向采用低温热处理。而在这之前,90%的企业是用日立、松下工艺的850℃高温热处理。

我曾经整改过整整6个月的工艺。夏天,天天在炉子边搞对比实验和曲线。计算的我都快烦死了,也就得到差不多这么点东西。呵呵。

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 楼主| 发表于 2005-4-22 11:53:00 | 只看该作者
不错,Bi2O3相变主要和烧成曲线后段及配方有关,但在热处理过程中受温度的影响比保温时间的影响要大,毕竟从热力学上讲,温度差别越大,相变驱动力越大。我是这样理解的请雷神指教。
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10
发表于 2005-4-22 10:05:00 | 只看该作者
下面引用由yctyct2005/04/22 09:05am 发表的内容:
有没有可能是鬼子的热处理温度比我们高,Bi2O3相变得程度比较大造成的?

胡说八道啊。在生产线上Bi2O3相变主要和烧成曲线后段及配方有关,在热处理中受保温时间影响最大。热处理温度高就好吗?开玩笑。
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9
发表于 2005-4-22 09:20:00 | 只看该作者
这个问题不是讨论能解决的,而且属于厂家机密。
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8
 楼主| 发表于 2005-4-22 09:05:00 | 只看该作者
有没有可能是鬼子的热处理温度比我们高,Bi2O3相变得程度比较大造成的?
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7
发表于 2005-4-21 17:28:00 | 只看该作者
下面引用由小虫2005/04/21 05:19pm 发表的内容:
这两个不同电压下的漏电流对MOV的性能考核有什么区别呢?

概括的讲,叫:热稳定性。专业点,叫:直流负荷老化特性。再专业点,叫:热刺激电流下的晶界间隙离子偏移特性。再再专业一点……得了。歇着了。
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6
发表于 2005-4-21 17:19:00 | 只看该作者
这两个不同电压下的漏电流对MOV的性能考核有什么区别呢?
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5
发表于 2005-4-21 17:07:00 | 只看该作者
下面引用由yctyct2005/04/19 10:53am 发表的内容:
我检测了几种国外的spd(obo、西门子等)发现他们的漏电(0.75V1mA)都在10μA左右,国产的spd一般都小于2μA,请问大侠,这种差别是配方的不同造成的,还是热处理工艺造成的。

以我个人对MOV的认知和了解,这个主要是配方问题。至于工艺,鬼子和我们现在用的工艺都是一样的。烧银的时候顺便做热处理。

漏电流小,尤其75% V1mA下的漏电流小不见得是个好事情。尝试比较一下83% V1mA下30秒的漏电流谁的大谁的小你就明白了。

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下水道
发表于 2005-4-21 13:19:00 | 只看该作者
涉及到a系数问题  

也有国内外对产品的认识问题
但一般西门子阀片的漏电流是在10μA左右,阿而发系数在20左右
国产的很多漏电流2~5μA    那个系数在30以上

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