求助MOV和GDV串联分压问题

06003220 · 发表于 2010-4-8 13:34:55

　　我最近做一个测试项目：GDT和MOV串联后的分压表现。采用直流电源，将压敏电阻和气体放电管串联。根据不同的压敏和气体放电管组合，改变电源电压。想测量GDT和MOV分压情况。
　　问题在于，如果所加电源电压（比如500V）都没有使GDT和MOV击穿，用万用表分别测量各自两端电压，读出的读书相加根本不等于外加电压。我分析这个是因为万用表内阻的原因。这个情况下GDT和MOV肯定都是高阻态，但是如何　测量其两端的电压呢？
　　各位能否帮下忙，提些看法阿？不胜感激。

阿甘 · 发表于 2010-4-8 13:37:08

本帖最后由 ljjcxy 于 2010-4-8 13:40 编辑

这个问题提的好，希望做研发的人能给出答案不过好像用示波器才可以的哦，用万用表，呵呵不怕电着啊

冰点防雷 · 发表于 2010-4-9 09:47:15

想请问楼主做这个实验的目的是什么。如果在直流没有击穿的情况下，放电管没有导通，那么整个回路处于开路的状态。那么测量的放电管两端的电压实际上是放电管两个触头以外的线路整体的电压，包括你的电压源里面的器件的电压哦....还有，放电管对浪涌的反应时间和击穿的电压大小与直流有很大的差别，由于对浪涌的反应时间问题，因此当浪涌到大的时候可能击穿电压较大，而对直流电压击穿电压比较小。直流与浪涌两者不能做比较...
我只是一个学生，这些是我从书本上看到的知识，一定很幼稚。还希望跟您多学习，希望继续交流~!

shuxioufire · 发表于 2010-4-12 17:29:24

呵呵,这个要看你用的放电管和压敏的启动电压分别是多少了,再仔细了解一些他们各自的特性,不就知道了吗!

luqun1234 · 发表于 2010-4-13 14:46:14

没导通时，万用表两端电压就是GDT两端电压！此电路等效为R+C电路

06003220 · 发表于 2010-4-13 15:51:29

关于这个问题，我写了一篇心得，把我实验的目的和数据分析和难点述说以下，大家看了后给我点建议：
其中TVR600表示其压敏电压600V，GD82R600表示其击穿电压是６００V

这个测试的目的来自于一个案例：假如一个外加电压400V的情况下，我们选择压敏电压为620V压敏电阻。由于我们知道大电流冲击后的残压与压敏电压是成正比的，因此我们会遇到残压过高的情况。然后这个问题对于单个压敏电阻是无法解决的，因此采用MOV和GDT串联的方法。在没有过电压的情况下，GDT是表现为开关作用的，因此我们可以选择压敏电压小一点的压敏电阻，使得大电流冲击下的残压符合我们的要求。
　　因此这个测试項目是GDT和MOV串联后的分压表现，具体测试样品分为两组：１,TVR14471分别和GDT80R230、600、10B三种进行串联；２, GDT80R600分别和TVR14271、471、621、911四种进行串联。分别记录GDT和MOV上的分压情况。
　　然而实际测量的过程中将与理想偏差很大。因为万用表的内阻使得压敏和放电管得分压实际上变成压敏和万用表内阻的分压或放电管和万用表内阻的分压。使得分别测得压敏和放电管两端的电压数据变得毫无参考价值。
　　这其中有一点是我之前并不知道的，即GDT击穿前的阻抗我们是可以把它当作是无穷大的。而MOV击穿前的阻抗虽然很高，但是也是可以比拟的。因此GDT和MOV串联起来。GDT会充当一个开关作用，所以基于这点，我们可以知道这个测试中外加电压没有使得GDT导通的情况下，GDT两端的电压近乎等于外加直流源的电压。通过测量MOV两端的电压，我们可以看到电压几乎为零。以下是测量数据：
型号组合 GD82R600+TVR14471
施加电压　　　　　250Vdc 350 Vdc 450 Vdc 550 Vdc
MOV两端测量电压(V) 0.03 0.06 0.07 0.35
型号组合 GD82R600+TVR14271
施加电压　　　　150 Vdc 250 Vdc 350 Vdc 450 Vdc
MOV两端测量电压(V) 0.01 0.02 0.07 0.17
然而以上只是观察到的一种情况，此时的外加电压都低于MOV和GDT的击穿电压。然而在另外一种情况下即外加电压高于GDT击穿电压但是低于MOV击穿电压的时候，得出的数据如下：
型号组合 GD82R230+TVR14471
外加电压　　　　　150 Vdc 250 Vdc 350 Vdc 450 Vdc
MOV两端测量电压(V) 0.08 45.5 182 300
　　我们可以看到，当外加电压超过GDT的击穿电压时，我们用万用表测MOV两端的电压，会发现情况有所变化，万用表的内阻为10M欧，因此我们可以知道此时GDT存在一种介于开和关之间的状态，而且阻抗在10M欧的级别，也就是说气体电离存在弱电离的稳定状态。这个有待于证实。
　　接下来是第三种情况，即外加电压超过了GDT和MOV的击穿电压，观察到的现象如下表：
型号组合 GD82R600+TVR14681
外加电压　　　　　550 Vdc 650 Vdc 750 Vdc 850 Vdc
MOV两端测量电压(V) 0.5 110 GDT导通，弧光放电３秒后，TVR炸裂，穿孔失效。
　　在上表所示的型号组合和外加电压的条件下，现象也不难解释了。
　　现在问题的关键就在于是否存在气体弱电离的稳定状态，并且此时的阻抗在一个相对很小的级别。

qiannianshi · 发表于 2010-5-5 14:38:33

我觉得在GDT和MOV都没有击穿的情况下，GDT上面的电压+MOV上面的电压是等于你电源输出的电压的。但是当用万用表去测量GDT和MOV两端的电压时，相当于对GDT和MOV并联了一个较小的电阻。大家知道，并联之后电阻会变小，所以用万用表测试的并不是GDT/MOV两端真实的电压，而是一个等效电阻两端的电压。由此分析，万用表测出的GDT和MOV两端的电压之和应该是小于电源输出电压的，不知道楼主的测试数据是否如此？
由于GDT的内阻要远远大于MOV的内阻，所以两者在串联时GDT上面的电压要远远大于MOV的电压。而GDT为开关型的器件，一旦电压达到击穿点电阻会急剧的降低，这个时候电压又会分到MOV上面，造成MOV被击穿。但是MOV为嵌位型的器件，电压的大小不同，其相应的内阻也会不一样。

abition216 · 发表于 2010-8-3 17:29:33

这个实验很有点意思

pangxp168 · 发表于 2010-8-3 20:43:21

帮不上忙，我支持你想法！

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求助MOV和GDV串联分压问题

，不过