[求助]关于漏电的问题

通天雷神

下面引用由yctyct在 2005/04/19 10:53am 发表的内容：
我检测了几种国外的spd（obo、西门子等）发现他们的漏电（0.75V1mA）都在10μA左右，国产的spd一般都小于2μA，请问大侠，这种差别是配方的不同造成的，还是热处理工艺造成的。

以我个人对MOV的认知和了解，这个主要是配方问题。至于工艺，鬼子和我们现在用的工艺都是一样的。烧银的时候顺便做热处理。

漏电流小，尤其75% V1mA下的漏电流小不见得是个好事情。尝试比较一下83% V1mA下30秒的漏电流谁的大谁的小你就明白了。

通天雷神

下面引用由小虫在 2005/04/21 05:19pm 发表的内容：
这两个不同电压下的漏电流对MOV的性能考核有什么区别呢？

概括的讲，叫：热稳定性。专业点，叫：直流负荷老化特性。再专业点，叫：热刺激电流下的晶界间隙离子偏移特性。再再专业一点……得了。歇着了。

通天雷神

下面引用由yctyct在 2005/04/22 09:05am 发表的内容：
有没有可能是鬼子的热处理温度比我们高，Bi2O3相变得程度比较大造成的？

胡说八道啊。在生产线上Bi2O3相变主要和烧成曲线后段及配方有关，在热处理中受保温时间影响最大。热处理温度高就好吗？开玩笑。

通天雷神

哦。请恕我早上忙的有点晕，说话的态度不好。抱歉。真诚的道歉。

从熵焓定律上讲自然是这么回事情了。但是你不要忘记一个根本的东西——我们做热处理的目的。目的是什么呢？我们不能说我们为了让它相变的快一点，省点电就提高温度，那样的话，所有的电性能都坏了，不能用了，那我们还热处理什么啊。对不对？呵呵。有点象开玩笑了。

所以，本身我们进行热处理的时候，在热处理温度的选择上就是有一个区间限制的。在规定的配方体系内，对于一个尺寸的MOV瓷片，我们能选择的温度窄的可以。怎样能让他充分而平缓的相变呢？唯一的方法是控制时间。

最后，高温度热处理好不好呢？不见得好。为什么呢？1、降温时存在逆反映。2、温阶函数太陡，晶粒收缩过大过快，缺陷太多，太难控制了。3、会把硅的无定型玻璃相给影响了。4、存在C0、Mn、Ni等等趋向晶粒的渗透和偏移。不好。大大的不好！所以，94年后，全球MOV制造行业都趋向采用低温热处理。而在这之前，90%的企业是用日立、松下工艺的850℃高温热处理。

我曾经整改过整整6个月的工艺。夏天，天天在炉子边搞对比实验和曲线。计算的我都快烦死了，也就得到差不多这么点东西。呵呵。