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标题: [原创]ZnO压敏电阻的烧结 [打印本页]

作者: souba 时间: 2004-7-11 12:29
标题: [原创]ZnO压敏电阻的烧结
[watermark]烧结
坯体在高温下发生一系列物理化学变化，形成和微观结构的烧结体，这一工艺过程称为烧结。它是整个制备工艺中的关键。由于低压ZnO压敏陶瓷自身的成瓷机理，我们必须制定正确的烧结制度。低于500°C阶段，缓慢升温以排水和有机粘合剂，以1000°C/h为宜。500°C～800°C坯体无明显变化，可适当加快升温速度。800°C～980°C是反映的主要温区，升温速度应控制在25°C/h～50°C。保温时间视晶粒生长情况而定，一般在2～3小时，以保证晶粒有充裕的时间长大并趋于均匀一致。低压ZnO压敏陶瓷冷却过程不同于一般电子陶瓷的随炉冷却，由于在降温过程中存在低熔添加物的结构相变，以及施主和受主离子价态的变化，冷却速度应放缓，大约100°C/h。
为了得到性能良好的烧结体，必须掌握成瓷机理和制定正确的烧结制度。对于ZnO压敏电阻的烧结过程来说，最关键是确定以下五个工艺要素：（1）烧结温度；（2）升温速度；（3）保温时间；（4）降温速率；（5）烧结气氛。他们关系到最终烧成陶瓷样品的电学性能好坏。
1烧结温度的确定
通常的低压ZnO压敏电阻其烧成温度一般在1230°C～1250°C之间，ZnO晶粒能够

上电极
烧成的陶瓷片在水磨砂纸上磨平，其主要目的是磨去陶瓷片表面的高阻层。用丙酮清洗掉样品上的粉末，烘干后涂敷银浆，放入电阻炉中烧银。800°C以前敞开炉门利于有机物的挥发和增加氧化气氛。800°C以后关闭炉门缓慢随炉冷却。
测试
烧渗好银电极的样品静止24小时，消除剩余应立即保持性能稳定。用压敏阻抗测试仪测试压敏场强、漏电流、非线性系数。
综合以上各道工序对ZnO压敏陶瓷性能的影响，探索出低温烧结ZnO压敏陶瓷材料的最佳制备工艺条件为：
粉料预合成：550°C
烧结： 980°C
保温时间： ×3h
降温速率： 100°C
采用埋烧的烧结方式
本文转载防雷搜索客http://www.spdbiz.com/bbs/topic.asp?l_id=29&t_id=401&page=1[/watermark]

作者: 通天雷神 时间: 2004-7-12 14:32
设备不同、配方不同、银浆不同、工艺岂会相同？

沉迷于‘鱼’的人，怎会知道‘渔’的乐趣。

作者: ASP 时间: 2004-7-19 10:40

下面引用由souba在 2004/07/11 12:29pm 发表的内容：
(水印部分不能引用)

2楼说的没错

日本鬼子立的配方 700-800度左右是关键

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