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标题: 半导体放电管---深圳浪拓 [打印本页]

作者: langtuodianzi 时间: 2009-7-18 13:39
标题: 半导体放电管---深圳浪拓
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SiBar半导体浪涌保护元件能够保护敏感的电信设备和数据通信设备,防止雷击瞬态电压等过电压事件造成损坏,在浪涌电压超过击穿电压时起分流的作用.当电压超过击穿电压时,SiBar半导体浪涌抑制器工作在保护特性曲线的低阻区,形成一个低阻通路,有效地降低过电压.

SiBar半导体浪涌保护元件符合GR-1089 Core、ITU K.20/K.21、IEC61000-4-5、FCC第68章以及UL60950等主要标准,可以对模拟和数字线路卡,XDSL和ISDN调制解调器、机顶盒、T1设备、VoIP设备和PoE设备实现快速的双向保护.

SiBar元件与能量处理等级相同的位器件相比,具有更低导通电压和更小的体积,且电容小,适合应用于高速数据传输的电路中.

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